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J-GLOBAL ID：201302243069911930   整理番号：13A1040921

成長戦略下での実力発揮を期待される革新的CNT複合材料の開発現況 窒化物材料上グラフェンを活用したテラヘルツ帯デバイスの研究開発

著者 (2件)： 末光眞希 (東北大) ,  中林隆志 (住友電気工業)
資料名： 工業材料  (Engineering Materials)
巻： 61  号： 7  ページ： 43-46  発行年： 2013年07月01日 
JST資料番号： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高伝送レート通信では,テラヘルツ帯の開拓が必須である。グラフェントランジスタ(GFET)のテラヘルツ帯動作ポテンシャルを実証することを目的とした。Si基板上にグラフェンを形成するGOS(グラフェン/SiC/Si)技術をベースとして,Si基板とSiC層との間にAlN中間層を挿入することにより,グラフェン膜質を改善できることを示した。また,GFETの高周波特性を改善するため,セルフアライン型プロセスを開発し,優れた高周波特性を実証した。

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *炭素材 ,  MOCVD ,  MBE成長 ,  炭化ケイ素 ,  *FET【トランジスタ】 ,  自己整合 ,  窒化アルミニウム ,  蒸着膜 ,  周波数特性 ,  *グラフェン ,  テラヘルツ波素子
準シソーラス用語： 高周波特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 成長戦略 ,  期待 ,  CNT ,  複合材料 ,  開発 ,  窒化物 ,  グラフェン ,  活用 ,  テラヘルツ ,  研究