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J-GLOBAL ID：201302243205207168   整理番号：13A0282938

室温下の絶縁基板上の広帯域幅ナノワイヤ電気機械

Wide Bandwidth Nanowire Electromechanics on Insulating Substrates at Room Temperature

著者 (6件)： ABHILASH T. S. (Tata Inst. of Fundamental Res., Mumbai, IND) ,  MATHEW John P. (Tata Inst. of Fundamental Res., Mumbai, IND) ,  SENGUPTA Shamashis (Tata Inst. of Fundamental Res., Mumbai, IND) ,  GOKHALE M. R. (Tata Inst. of Fundamental Res., Mumbai, IND) ,  BHATTACHARYA Arnab (Tata Inst. of Fundamental Res., Mumbai, IND) ,  DESHMUKH Mandar M. (Tata Inst. of Fundamental Res., Mumbai, IND)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 12  ページ： 6432-6435  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,サファイア絶縁基板上でのNEMS(電気機械系)の簡易合成法を開発し,大きな帯域幅の実行と検出を可能にした。局所ゲート構造を持つ絶縁基板上で合成したInAsナノワイヤ共振器を調べた。本基板利用の主な利点は奇生キャパシタンス減少をもたらし,室温下,広帯域幅の実行や検出(単一検出に加え,ネットワーク分析器を利用した検出)を可能にすることである。ナノワイヤの面内と面外両振動モードを導き,共振器の非線形応答を調べた。また,本法は,ナノ構造の加熱に因る熱歪変化の研究も可能にした。

シソーラス用語： *共振器 ,  漂遊容量 ,  *電気機械 ,  *基板 ,  *絶縁材料 ,  *帯域幅 ,  *ヒ化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  室温 ,  検出 ,  ネットワーク構造 ,  分析機器 ,  面外振動 ,  平面振動 ,  振動モード ,  応答 ,  歪 ,  MOCVD ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 寄生キャパシタンス ,  *サファイア基板 ,  分析器 ,  面振動 ,  非線形応答 ,  熱歪 ,  金属有機化学蒸着

分類 (3件)： 共振器  (NC04050Y) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  絶縁基板 ,  帯域幅 ,  ナノワイヤ ,  電気機械