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J-GLOBAL ID：201302243339358820   整理番号：13A0282884

数層のグラフェンから室温において彫りだした量子ドット

Quantum Dots at Room Temperature Carved out from Few-Layer Graphene

著者 (4件)： BARREIRO Amelia (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  BARREIRO Amelia (Columbia Univ., New York, USA) ,  VAN DER ZANT Herre S. J. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  VANDERSYPEN Lieven M. K. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 12  ページ： 6096-6100  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空気中において大きな電子電流によるグラフェン膜の制御した破壊を用いて,大きな電子付加エネルギー1.6eVを持つグラフェン量子ドットを示す。量子ドットの島のサイズは1nmの範囲内と見積もられた。大きな付加エネルギーにより,室温のCoulombブロッケードが許され,単一電子デバイスへの応用可能性を示した。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *炭素材 ,  剥離 ,  フレーク ,  *方式 ,  エネルギー ,  Coulombブロッケード ,  *量子ドット ,  *グラフェン
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  バックゲート ,  *数層 ,  *電子燃焼法 ,  熱酸化膜 ,  付加エネルギー ,  鱗片

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  室温 ,  量子ドット