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J-GLOBAL ID：201302243464863480   整理番号：13A1507941

未開発流体における電気速度論

Electrokinetics in undeveloped flows

著者 (4件)： YAROSHCHUK Andriy (ICREA, Passeig Lluis Companys 23, 08010 Barcelona, ESP) ,  YAROSHCHUK Andriy (Dep. of Chemical Engineering, Polytechnic Univ. of Catalonia, Av. Diagonal 647, 08028 Barcelona, ESP) ,  BERNAL Edxon Eduardo Licon (Dep. of Chemical Engineering, Polytechnic Univ. of Catalonia, Av. Diagonal 647, 08028 Barcelona, ESP) ,  LUXBACHER Thomas (Anton Paar GmbH, Anton-Paar Str.20, 8054 Graz, AUT)
資料名： Journal of Colloid and Interface Science  (Journal of Colloid and Interface Science)
巻： 410  ページ： 195-201  発行年： 2013年11月15日 
JST資料番号： C0279A  ISSN： 0021-9797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 未開発流中の界面動電現象を数値的におよび実験的に調べ,多孔質基板と同様に非多孔質に対しても半線形性が起こることを確認した。未開発流の数値シミュレーションを用いて,体積流量から見積もったチャネル高が電気伝導度から得られた参照値と極めて良く一致することもわかった(Hagen-Poiseuille方程式の従来法を用いて見積もった値と対照的に)。活動電流係数のチャネル高依存性の数値適合は,外面および多孔質サブ構造(多孔質基板の場合に)の寄与を分離し,両方の場合で(有効)ζ電位の妥当な値を得ることを可能にした。それでもなお,チャネル高の増加と共に実験データの精度が低下し,100~150μm以下の範囲内で高さを変化させることが一般的に望ましい。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電気化学 ,  *界面動電現象 ,  高さ ,  シミュレーション ,  *流体 ,  多孔質体
準シソーラス用語： チャネル高 ,  数値シミュレーション ,  *電気速度論

分類 (2件)： 界面化学一般  (CB12010J) ,  流体力学一般  (BC01010Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 開発 ,  流体 ,  電気速度論