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J-GLOBAL ID：201302244031950920   整理番号：13A1149093

垂直整列した無触媒ヒ化ガリウムナノワイヤ配列のスケーラブル合成-最適光吸収に向けて

Scalable Synthesis of Vertically Aligned, Catalyst-Free Gallium Arsenide Nanowire Arrays-Towards Optimized Optical Absorption

著者 (8件)： YAO Maoqing (Univ. Southern California, CA) ,  MADARIA Anuj R. (Univ. Southern California, CA) ,  CHI Chun Yung (Univ. Southern California, CA) ,  HUANG Ningfeng (Univ. Southern California, CA) ,  LIN Chenxi (Univ. Southern California, CA) ,  POVINELLI Michelle L. (Univ. Southern California, CA) ,  DAPKUS P.Daniel (Univ. Southern California, CA) ,  ZHOU Chongwu (Univ. Southern California, CA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8373  ページ： 837314.1-837314.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 領域選択有機金属化学気相成長法(MOCVD)を用いた無触媒ナノワイヤ成長法が最近報告された。本論文では,選択領域MOCVDを用いて垂直整列した無触媒ヒ化ガリウムナノワイヤ配列を合成するためのナノ球リソグラフィー(NSL)パターン形成を用いた汎用のスケーラブルな方法を示した。集合したナノ球パターン中の欠陥の存在が配列の光学的性質に及ぼす影響は無視できた。電子ビームリソグラフィーなどの高価で時間を要するパターン形成法の代替として,NSLは太陽電池への応用のためのスケーラブルナノワイヤ配列製造の強力な方法である。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  光吸収 ,  MOCVD ,  選択成長 ,  太陽電池 ,  *結晶成長 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  リソグラフィー
準シソーラス用語： ナノ球リソグラフィー ,  領域選択成長

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直整列 ,  触媒 ,  ヒ化ガリウム ,  ナノワイヤ ,  光吸収