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J-GLOBAL ID：201302244653200405   整理番号：13A0055074

Co₂Mn_xTi_1-xAlホイスラー合金薄膜の無秩序および弱い局在効果

Disorder and weak localization effects in Co₂Mn_xTi_1-xAl Heusler alloy thin films

著者 (7件)： AFTAB M (Univ. Delaware, DE, USA) ,  AFTAB M (Quaid-i-Azam Univ., Islamabad, PAK) ,  JAFFARI G Hassnain (Univ. Delaware, DE, USA) ,  JAFFARI G Hassnain (Quaid-i-Azam Univ., Islamabad, PAK) ,  HASANAIN S K (Quaid-i-Azam Univ., Islamabad, PAK) ,  ABBAS Turab Ali (National Centre for Physics, Islamabad, PAK) ,  SHAH S Ismat (Univ. Delaware, DE, USA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 47  ページ： 475001,1-9  発行年： 2012年11月28日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mn濃度の関数として四元ホイスラー合金Co₂Mn_xTi_1-xAl(0≦x≦1)の輸送特性におよぼす無秩序の効果が詳細に研究された。すべての組成は高いスピン分極を示すB2型構造をもち,膜のin situ焼なましでさえも得られなかった。これは与えられた条件下でこれらの合金の相安定性の欠如を示した。全体抵抗挙動は系のサイト無秩序による局在効果の存在を示し,弱い局在のKavehとMottのモデルの枠組み内で説明された。低温より上の金属組成での抵抗はT²依存性に従い,それはスピンフリップ,そして/あるいは電子-電子散乱の存在を示した。Slater-Paulingルールの値と同等な実験磁気モーメントで,Coアンチサイト無秩序がこれらの合金に存することが示唆された。予想された半金属挙動はB2型構造内のCoアンチサイト無秩序の存在によって恐らく破壊され明白にされなかった。

シソーラス用語： *ホイスラー合金 ,  *金属薄膜 ,  無秩序系 ,  B2型金属間化合物 ,  局在状態 ,  電子散乱 ,  格子欠陥 ,  電気抵抗 ,  *磁気モーメント
準シソーラス用語： アンチサイト欠陥 ,  スピンフリップ ,  合金薄膜 ,  電子-電子散乱

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ホイスラー ,  合金薄膜 ,  弱い局在