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J-GLOBAL ID：201302245222336330   整理番号：13A0883063

Zn_(0.98)Nd_(0.02)Oの室温Raman散乱とボルト-アンペア性質の調査

Investigation of Room-temperature Raman Scattering and Volt-ampere Properties of Zn_(0.98)Nd_(0.02)O

著者 (1件)： Wen Jun (School of Physics and Electrical Engineering, Weinan Normal Univ., Shanxi, Weinan)
資料名： Guangdian Gongcheng  (Guangdian Gongcheng)
巻： 39  号： 5  ページ： 1-6  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2092A  ISSN： 1003-501X  CODEN： GUGOEC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 固相反応方式を適用することによってZn_(0.98)Nd_(0.02)Oを調製して,次にZn_(0.98)Nd_(0.02)O薄膜を高周波マグネトロンスパッタリング技術によってSi(111)下地に成膜した。最終的にZn_(0.98)Nd_(0.02)O粒子と膜の微細構造をX線回折,原子間力顕微鏡法(AFM),およびRaman散乱によって調査した。Zn_(0.98)Nd_(0.02)O膜のボルト-アンペア性質を室温でテストした。Zn_(0.98)Nd_(0.02)Oの格子構造(六角閃亜鉛鉱)がNdドーピングによって撹乱されないことを発見した。Nd_(0.02)Zn_(0.98)O粒子はナノ多結晶粉体であり,膜は(100),(101)方向で増加しているナノ多結晶で,粗面モルフォロジーがある。室温Ramanスペクトル分析は,局所応力が強化されて,欠陥状態が複雑になるので,Ramanピークには周波数スペクトル変位があることを指摘した。継続解析を通して,Zn_(0.98)Nd_(0.02)O薄膜の室温I-V曲線は非線形伝導率性質を示した。いくつかの理由が非線形伝導率を引き起こす:Zn_(0.98)Nd_(0.02)O薄膜におけるキャリアは,付加的電場によって熱的に励振して,伝導バンドに入力される。ZnOのバンドギャップより大きいエネルギーを持つ環境光からの写真は光伝導効果を起こした。ナノ粒子の間のトンネルは膜に行った。光照射で,浅いドナー欠陥の一貫性は増加して,Zn_(0.98)Nd_(0.02)O薄膜表面抵抗率は減少するので,導電性は増加する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *Raman散乱 ,  マグネトロンスパッタリング ,  Raman分光分析 ,  顕微鏡観察 ,  スペクトル ,  結晶方位 ,  モルフォロジー ,  バンドギャップ ,  伝導バンド ,  電気伝導 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： Ramanスペクトル分析 ,  原子間力顕微鏡法 ,  周波数スペクトル ,  Si(111) ,  非線形伝導 ,  表面抵抗率

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  Raman散乱 ,  ボルト ,  アンペア ,  性質 ,  調査