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J-GLOBAL ID：201302245519333373   整理番号：13A0242452

0.2~4.3THzの放射検出用のCMOS集積アンテナ結合FET

CMOS Integrated Antenna-Coupled Field-Effect Transistors for the Detection of Radiation From 0.2 to 4.3THz

著者 (11件)： BOPPEL Sebastian (Johann Wolfgang Goethe-Univ. Frankfurt, Frankfurt, DEU) ,  LISAUSKAS Alvydas (Johann Wolfgang Goethe-Univ. Frankfurt, Frankfurt, DEU) ,  MUNDT Martin (Johann Wolfgang Goethe-Univ. Frankfurt, Frankfurt, DEU) ,  SELIUTA Dalius (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  MINKEVICIUS Linas (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  KASALYNAS Irmantas (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  VALUSIS Gintaras (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  MITTENDORFF Martin (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden, DEU) ,  WINNERL Stephan (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden, DEU) ,  KROZER Viktor (Johann Wolfgang Goethe-Univ. Frankfurt, Frankfurt, DEU) ,  ROSKOS Hartmut G. (Johann Wolfgang Goethe-Univ. Frankfurt, Frankfurt, DEU)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 60  号： 12,Pt.1  ページ： 3834-3843  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si MOSFETを用いたテラヘルツ検出器の周波数範囲>1THzの動作を調べ,アンテナで受信する信号をドレイン-ソース端子間に適用する新しい検出器の概念を活用し,この素子の設計と実現を詳述し,Dyakonov-Shurモデルに基づく検出器の動作を記述する理論的手法を提案し,この素子のインピーダンスとNEPを考慮した様々なゲートバイアス電圧に対するシミュレーション結果を与え,準静的(QS)混合,分布抵抗自己混合,非共振プラズマ混合の3周波数領域は互いに区別でき,4.3THzまでの周波数で検出感度を実験結果で実証し,理論と実験の結果を比較した。

シソーラス用語： 半導体集積回路 ,  *MOSFET ,  電磁波 ,  検出 ,  技術 ,  周波数混合 ,  パッチアンテナ ,  *検出器
準シソーラス用語： CMOS集積回路 ,  テラヘルツ電磁波 ,  プラズモニクス ,  *サブミリ波検出器 ,  *テラヘルツ波検出器

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 放射 ,  CMOS ,  集積 ,  アンテナ ,  FET