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J-GLOBAL ID：201302246303022329   整理番号：13A1204952

ハーフブリッジパワーICのための新しい分離法

A Novel Isolation Method for Half-Bridge Power ICs

著者 (2件)： KONG Moufu (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  CHEN Xingbi (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 7  ページ： 2318-2323  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハーフブリッジ高電圧集積回路(HVIC)では四つの高電圧デバイスM_H,M_L,M₁,M₂,を使う。M_HとM_Lはハイ側とロー側の高電圧パワーNMOSTであり,M₁とM₂はM_Hの制御信号のためのレベルシフト回路用である。ブレークダウン電圧と比オン抵抗のトレードオフを改善するために最適化変動ラテラルドーピング(OPTVLD)技術を使った。四つのNMOSTはPN接合で分離している。分離領域は高電圧を維持する必要があるので,分離領域の実効電荷密度はNMOSTと同じ様に設計した。二つのレベルシフト高電圧NMOSTのレイアウト面積は,従来のわずか6.61%である。TCADシミュレーションの結果,期待した機能は十分に達成されている。

シソーラス用語： 密度 ,  PN接合 ,  *アイソレーション【IC】 ,  集積回路 ,  *電力トランジスタ ,  技術 ,  電圧 ,  オン抵抗 ,  素子構造 ,  分布 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： アイソレーション技術 ,  *パワーIC ,  ブレークダウン電圧 ,  ポテンシャル分布 ,  表面電荷密度

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ハーフブリッジ ,  パワーIC ,  分離法