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J-GLOBAL ID：201302246317866023   整理番号：13A0949263

水素ガスセンサにおける用途のために作製したインジウムスズ酸化物薄膜の構造特性に及ぼすrfパワーの影響

Effect of rf power on the structural properties of indium tin oxide thin film prepared for application in hydrogen gas sensor

著者 (2件)： VASANTHIPILLAY V. (Sujatha Degree and PG Coll. for Women, Dep. of Physics, Hyderabad, Andhra Pradesh, IND) ,  VIJAYALAKSHMI K. (Bishop Heber Coll., Dep. of Physics, Tiruchirappalli, Tamil Nadu, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 24  号： 6  ページ： 1895-1899  発行年： 2013年06月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： rfマグネトロンスパッタリングによりインジウムスズ酸化膜を648Kでガラス基板上に成長した。このITO膜の構造特性に及ぼすrfパワーの影響を調査した。XRD測定は,最適化された堆積条件のもとで(222)優先配向を示した。走査型電子顕微鏡で解析したITO膜の表面形態は,全表面積にわたって一様であるように見え,その膜は細かい粒子の緻密な層を示した。最後に,ITOセンサデバイスを作製し,水素ガスに対するそのデバイスの検知特性を調査した。動作温度と水素ガスの濃度によるITOセンサの感度変化を調査した。最大の応答は1000ppmの水素ガスに対して400Kで1.6であることが分かり,センサの応答はH₂ガスの濃度の増加とともに減少することが分かった。Copyright 2012 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 電極 ,  酸化インジウムスズ ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  水素 ,  *ガスセンサ ,  素子構造
準シソーラス用語： ITO電極 ,  高周波マグネトロンスパッタリング ,  水素ガス

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 水素 ,  ガスセンサ ,  用途 ,  作製 ,  インジウムスズ酸化物 ,  薄膜 ,  構造特性 ,  RF ,  パワー