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J-GLOBAL ID：201302246400268936   整理番号：13A1334962

ペロブスカイト半導体CsPbBr₃の結晶成長: 高エネルギー放射線検知に利用する新しい物質

Crystal Growth of the Perovskite Semiconductor CsPbBr₃: A New Material for High-Energy Radiation Detection

著者 (13件)： STOUMPOS Constantinos C. (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  MALLIAKAS Christos D. (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  PETERS John A. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  LIU Zhifu (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  SEBASTIAN Maria (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  IM Jino (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  CHASAPIS Thomas C. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  WIBOWO Arief C. (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  CHUNG Duck Young (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  FREEMAN Arthur J. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  WESSELS Bruce W. (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  KANATZIDIS Mercouri G. (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  KANATZIDIS Mercouri G. (Northwestern Univ., Illinois, USA)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 13  号： 7  ページ： 2722-2727  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた機械的安定性とオプトエレクトロニクス特性を示すペロブスカイト化合物,CsPbBr₃を合成して,その結晶成長と構造特性を研究した。その結果,この化合物は最先端技術によって作成された市販の素材と同様の分解能の高い減衰,高い抵抗および大きな光伝導応答を示す直接バンドギャップ半導体なので,X線やγ線放射検知に有効な物質であることがわかった。結晶成長中に生じる構造相転移は結晶の品質に影響を及ぼさないようである。電荷を集めやすい特性なるが,移動度と寿命の積(μT)は空孔と電子キャリアの両方ともほぼ等しくなった。しかし,このCsPbBr₃における電子のμTはCd_0.9Zn_0.1Te(CZT)と同程度であるが,空孔のμTはCZTより10倍高くなった。

シソーラス用語： *臭化物 ,  *鉛化合物 ,  *セシウム化合物 ,  化学合成 ,  単結晶 ,  X線回折 ,  *結晶構造 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  斜方晶系 ,  格子定数 ,  *光伝導 ,  電気伝導率 ,  バンドギャップ ,  キャリア移動度 ,  キャリア寿命 ,  *X線検出 ,  *γ線検出 ,  構造相転移
準シソーラス用語： *臭化鉛セシウム

分類 (4件)： 複塩  (CD01060G) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (4件)： ペロブスカイト ,  結晶成長 ,  高エネルギー放射線 ,  物質