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J-GLOBAL ID:201302246413084869   整理番号:13A1664603

実験実地試験に基づく高い成分光電子システムのもとでInGaP/InGaAs/Ge三重会合点太陽電池の電気的性質

ELECTRICAL PROPERTIES OF THE InGaP/InGaAs/Ge TRIPLE-JUNCTION SOLAR CELL UNDER HIGH CONCENTRATION PHOTOVOLTAIC SYSTEM BASED ON FIELD-TEST EXPERIMENTAL
著者 (5件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: 39-44  発行年: 2013年 
JST資料番号: W0629A  ISSN: 0254-0096  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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光電子システムに集中するディッシュ-スタイルは,本論文において設計して構築した。本システムの成分比率は150であり,光電池はヒートパイプによって冷やした。著者は,三重会合点InGaP/InGaAs/Ge太陽電池の性能を測定した。実験結果によって,システムのピーク出力パワーは1.5315W/cm2であり,平均出力パワーは1.20W/cm2であり,平均効率は26.58%であり,平均作用温度は46.875°Cであり,最大作用温度は62.05°Cを上回らなかった。ソーラーセル電気的性質が主に含むInGaP/InGaAs/Ge三重会合点の影響する要因は,ソーラー放射およびソーラーセル温度を管理した。本システムは,光電子システム,例えば高い効率およびより良い電気性能を既存の定常と比較するそれ自身の利点を持った。更に研究のための有用な参考文献である本実験において,セル温度,出力パワーおよび効率を収集した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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分類 (1件):
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太陽エネルギー利用機器 

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