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J-GLOBAL ID：201302246460570020   整理番号：13A1079454

(111)A GaAs量子井戸での電子スピン緩和に関する温度依存性電場制御

Temperature dependent electric field control of the electron spin relaxation in (111)A GaAs quantum wells

著者 (10件)： WANG G. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 603 ...) ,  BALOCCHI A. (Univ. de Toulouse, INSA-CNRS-UPS, LPCNO, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse, FRA) ,  LAGARDE D. (Univ. de Toulouse, INSA-CNRS-UPS, LPCNO, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse, FRA) ,  ZHU C. R. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 603 ...) ,  AMAND T. (Univ. de Toulouse, INSA-CNRS-UPS, LPCNO, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse, FRA) ,  RENUCCI P. (Univ. de Toulouse, INSA-CNRS-UPS, LPCNO, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse, FRA) ,  SHI Z. W. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 603 ...) ,  WANG W. X. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 603 ...) ,  LIU B. L. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 603 ...) ,  MARIE X. (Univ. de Toulouse, INSA-CNRS-UPS, LPCNO, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 24  ページ： 242408-242408-4  発行年： 2013年06月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  *電子スピン緩和 ,  温度依存性 ,  結晶方位 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  効果
準シソーラス用語： Rashba効果

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  量子井戸 ,  電子スピン緩和 ,  温度依存性 ,  電場制御