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J-GLOBAL ID：201302246764306957   整理番号：13A0948685

半導体ナノ結晶合成の化学機構

Chemical Mechanisms of Semiconductor Nanocrystal Synthesis

著者 (3件)： SOWERS Kelly L. (Univ. Rochester, New York, USA) ,  SWARTZ Brett (Univ. Rochester, New York, USA) ,  KRAUSS Todd D. (Univ. Rochester, New York, USA)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 25  号： 8  ページ： 1351-1362  発行年： 2013年04月23日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノ結晶量子ドットの合成は1993年のホスフィンカルコゲン化物前駆体および配位性溶媒の採用によって大きく前進した。それ以来多数の検討によって改善がもたらされ,安全性の高い前駆体を用いて高品質の半導体ナノ結晶量子ドットが入手できるようになったが半導体ナノ結晶量子ドットの生成の化学的な機構には不明な点が多い。核形成に至る初期の「単量体」の形成を中心としてII-VIおよびIV-VI半導体ナノ結晶量子ドットの合成の化学機構に関する研究の進展を解説した。

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  *化合物半導体 ,  *量子ドット ,  *化学合成 ,  前駆体 ,  単量体 ,  核形成 ,  結晶成長 ,  *反応機構
準シソーラス用語： II-VI族化合物半導体 ,  IV-VI族化合物半導体

分類 (2件)： コロイド化学一般  (CB11010C) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体ナノ結晶 ,  化学