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J-GLOBAL ID：201302247041885742   整理番号：13A1426149

BaTiO_3-δ薄膜における双極性抵抗スイッチングと光電流

Bipolar resistance switching and photocurrent in a BaTiO_3-δ thin film

著者 (5件)： PARK Y. A. (Dep. of Physics, Inha Univ., Incheon 402-751, KOR) ,  SUNG K. D. (Dep. of Physics, Inha Univ., Incheon 402-751, KOR) ,  WON C. J. (Dep. of Physics, Inha Univ., Incheon 402-751, KOR) ,  JUNG J. H. (Dep. of Physics, Inha Univ., Incheon 402-751, KOR) ,  HUR N. (Dep. of Physics, Inha Univ., Incheon 402-751, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 114  号： 9  ページ： 094101-094101-5  発行年： 2013年09月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  サンドイッチ構造 ,  誘電分極 ,  *スイッチング ,  電流電圧特性 ,  *光電流 ,  記憶素子
準シソーラス用語： ルテニウム酸ストロンチウム ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗メモリ ,  分極処理

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  抵抗スイッチング ,  光電流