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J-GLOBAL ID：201302247164954994   整理番号：13A0322111

亜鉛補償したパイロクロアニオブ酸ビスマス亜鉛薄膜の構造と誘電特性

Structures and dielectric properties of pyrochlore bismuth zinc niobate thin films with zinc compensation

著者 (6件)： ZHANG Xiaohua (Electronic Materials Res. Lab., Key Lab. of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Res. ...) ,  REN Wei (Electronic Materials Res. Lab., Key Lab. of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Res. ...) ,  SHI Peng (Electronic Materials Res. Lab., Key Lab. of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Res. ...) ,  WU Xiaoqing (Electronic Materials Res. Lab., Key Lab. of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Res. ...) ,  CHEN Xiaofeng (Electronic Materials Res. Lab., Key Lab. of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Res. ...) ,  YAO Xi (Electronic Materials Res. Lab., Key Lab. of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Res. ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 553  ページ： 8-13  発行年： 2013年03月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パイロクロアBi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇(BZN)薄膜をパルスレーザ堆積法により酸素圧10Pa,650°Cで作製し,Zn量を変えて特性評価した。薄膜中のZn濃度はZn量が0~40mol%過剰なターゲットにより変えた。X線回折から立方晶パイロクロア相構造で(111)面に強く優先配向していた。誘電特性を温度と周波数の関数として調べた。薄膜の誘電率と誘電損失はZn量の増加によりいずれも少し増加した。Zn40mol%薄膜は10kHzで誘電率198,誘電損失0.004であった。誘電緩和挙動を誘電特性の温度依存性から調べた。特性温度(T_m)はZnの増加で高温に移動し,BZNセラミックに徐々に近付いた。広い周波数と温度範囲(1kHz~1MHz,-100~150°C)で薄膜の誘電率はほぼ変化せず,負の温度係数を示した。Zn20mol%薄膜の漏洩電流密度は400kV/cmでZn0mol%薄膜と比べて3桁低かった。BZN薄膜の伝導はショットキー放出機構と空間電荷制限電流機構により制御される。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ニオブ酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *誘電体薄膜 ,  結晶構造 ,  *誘電性 ,  *パイロクロア型結晶 ,  *レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  酸素 ,  立方晶系 ,  *誘電率 ,  誘電損失 ,  誘電緩和 ,  *漏れ電流 ,  電流密度 ,  電気伝導 ,  熱電子放出 ,  空間電荷制限電流 ,  酸化ビスマス ,  酸化亜鉛 ,  酸化ニオブ ,  焼結 ,  基板 ,  白金 ,  酸化チタン ,  酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： BZN【セラミック】 ,  Schottky効果 ,  パルスレーザ堆積 ,  誘電特性 ,  漏洩電流

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 亜鉛 ,  補償 ,  パイロクロア ,  ニオブ酸 ,  ビスマス ,  薄膜 ,  誘電特性