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J-GLOBAL ID：201302247270251439   整理番号：13A1418812

多重ウエハ高成長速度有機金属化学蒸着ツールを使った6及び8インチ基板上のAlGaN/GaNの厚みと組成変動の制御

Control of Thickness and Composition Variation of AlGaN/GaN on 6- and 8-in. Substrates Using Multiwafer High-Growth-Rate Metal Organic Chemical Vapor Deposition Tool

著者 (7件)： YANO Yoshiki (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  TOKUNAGA Hiroki (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  SHIMAMURA Hayato (TN EMC Ltd., Tokyo, JPN) ,  YAMAOKA Yuya (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  UBUKATA Akinori (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  TABUCHI Toshiya (Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN) ,  MATSUMOTO Koh (TN EMC Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JB06.1-08JB06.4  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着(MOCVD)により大きい直径のシリコン基板上の湾曲しているGaN上の表面温度勾配は,ウエハは成長中,凸状に湾曲して,圧縮歪を蓄積するため,制御するのが難しい。6インチ(6′′)シリコン基板上に7×6′′反応器を使って一様なAlGaN/GaNを成長するのを試みるため,本論文では,ウエハ上の表面温度勾配とウエハ端での質量輸送の制御について記述した。6×8′′反応器を使って,6個の8インチ(8′′)シリコン基板上へAl_0.23GaN/AlN/GaN/SLS/Al_0.5GaN/AlNを成長することを試みた。全厚の標準偏差はウエハ上で2.0%以下,ウエハからウエハで0.31%以下であった。歪層超格子(SLS)の成長速度は2.8μm/hと高かった。典型的な電子移動度は,1.11×10¹³cm^-2のシートキャリア密度で1670cm²・V^-1・s^-1であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  ウエハ【IC】 ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  歪 ,  表面温度 ,  温度勾配 ,  半導体薄膜 ,  *層厚 ,  歪層超格子 ,  成長速度 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  *化学組成
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  圧縮歪 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  電子移動度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (24件)：

• 1) J. Chen, S. Zhang, B. Zhang, J. Zhu, G. Feng, L. Duan, Y. Wang, H. Yang, and W. Zheng: Sci. China, Ser. E 46 (2003) 620.
• 2) A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry, R. J. Gorman, M. E. Twigg, M. Fatemi, J. A. Freitas, Jr., and W. J. Moore: J. Electron. Mater. 29 (2000) 21.
• 3) A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry, M. E. Twigg, and M. Fatemi: J. Cryst. Growth 260 (2004) 54.
• 4) D. Zhu, C. McAleese, K. K. McLaughlin, M. Häberlen, C. O. Salcianu, E. J. Thrush, M. J. Kappersa, W. A. Phillips, P. Lane, D. J. Wallis, T. Martin, M. Astles, S. Thomas, A. Pakes, M. Heuken, and C. J. Humphreys: Proc. SPIE 7231 (2009) 723118.
• 5) A. Dadgar, M. Poschenrieder, J. Biäsing, O. Contreras, F. Bertram, T. Riemann, A. Reiher, M. Kunze, I. Daumiller, A. Krtschil, A. Diez, A.Kaluza, A. Modlich, M. Kamp, J. Christen, F. A. Ponce, E. Kohn, and A. Krost: J. Cryst. Growth 248 (2003) 556.

タイトルに関連する用語 (9件)： 多重 ,  ウエハ ,  成長速度 ,  有機金属化学蒸着 ,  ツール ,  AlGaN ,  GaN ,  厚み ,  組成