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J-GLOBAL ID：201302247314476506   整理番号：13A0923405

抑制二次電子放出に対するCuOナノワイヤ

CuO nanowires for inhibiting secondary electron emission

著者 (9件)： AGUILERA L (CSIC, Madrid, ESP) ,  MONTERO I (CSIC, Madrid, ESP) ,  DAVILA M E (CSIC, Madrid, ESP) ,  RUIZ A (CSIC, Madrid, ESP) ,  GALAN L (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  NISTOR V (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  RABOSO D (European Space Res. and Technol. Center (ESTEC), Noordwijk, NLD) ,  PALOMARES J (CSIC, Madrid, ESP) ,  SORIA F (CSIC, Madrid, ESP)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 46  号： 16  ページ： 165104,1-6  発行年： 2013年04月24日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子あるいはイオン衝撃下での二次電子放出プロセスは,プラズマディスプレイパネル,大粒子加速器などのような科学技術の非常に異なる分野で重要な役割を果たす。この論文では,二次電子放出を避けるために銅上で成長した酸化銅(CuO)ナノワイヤ(NW)が研究された。CuO NW被覆制御とNWサイズは二次電子放出収率(SEY)特性を修正することを可能にする。強いSEY減少(SEY<1)は二次電子の再吸収によりCuOナノワイヤの適切な被覆(10²μm^-2)とアスペクト比(10³)に関連している。金被覆CuOナノワイヤによるSEYの強化された抑制が得られる。

シソーラス用語： *二次電子放出 ,  *ナノワイヤ ,  *酸化銅 ,  抑制 ,  アスペクト比 ,  電子 ,  吸収
準シソーラス用語： 二次電子 ,  再吸収

分類 (1件)： Auger電子放出,二次電子放出  (BM09040O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二次電子放出 ,  CuO ,  ナノワイヤ