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J-GLOBAL ID：201302247431656060   整理番号：13A0215441

正確で微傾斜の(110)Si基板上で成長した階段傾斜SiGe層の結晶形態

Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates

著者 (8件)： NAKAJIMA K ,  USAMI N ,  SHIRAKI Y ,  SAWANO K ,  NAKAGAWA K ,  YAMANAKA J ,  WATANABE M ,  ARIMOTO K
資料名： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻： 311  号： 3  ページ： 809-813  発行年： 2009年 
JST資料番号： O2133A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  成長 ,  階段 ,  SiGe ,  結晶形態