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J-GLOBAL ID：201302247609144122   整理番号：13A0988383

重合体:フラーレンバルクヘテロ接合太陽電池におけるエネルギー準位配列とサブバンドギャップ電荷発生

Energy Level Alignment and Sub-Bandgap Charge Generation in Polymer: Fullerene Bulk Heterojunction Solar Cells

著者 (3件)： TSANG Sai-Wing (Univ. Florida, FL, USA) ,  CHEN Song (Univ. Florida, FL, USA) ,  SO Franky (Univ. Florida, FL, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 25  号： 17  ページ： 2434-2439  発行年： 2013年05月07日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機太陽電池のバルクヘテロ接合(BHJ)における構成分子のHOMOとLUMOのエネルギー差(エネルギー配列)は開放端電圧決定に重要であるが,従来個別分子の測定値から間接的に算出しており,接合時の変化を考慮していなかった。これに対して電場変調吸収スペクトルからBHJのエネルギー配列(励起子励起)を直接測定する電荷変調電子吸収スペクトル(CMEAS)を開発した。ドナーとしてPCDTBT(ベンゾチアゾール-チオフェン系高分子),アクセプタとしてPC₇₁BMの混合系でCMEASを測定し,BHJ励起子励起エネルギー(EA)(約1.98eV)に加えてサブバンドギャップエネルギー(サブEA)(約1.65eV)を検出した。EAは電場変調の周波数依存性が無く線形DC電場依存性を示すのに対して,サブEAは周波数依存性がありDC電場依存性が無かった。BHJの電荷注入時のエネルギー準位についてPCDTBT単独系を用いてさらに詳細に解析した。

シソーラス用語： *エネルギー準位 ,  バンドギャップ ,  *ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  HOMO ,  LUMO ,  電圧 ,  信号変調 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  周波数依存性 ,  依存性 ,  キャリア注入 ,  電場効果 ,  電荷 ,  電子吸収スペクトル ,  ポリヘテロアリーレン ,  ポリチオフェン類 ,  窒素複素環化合物 ,  硫黄複素環化合物 ,  フラーレン
準シソーラス用語： *バルクヘテロ接合 ,  開放端電圧 ,  電荷注入 ,  電場依存性 ,  電場変調 ,  *有機太陽電池 ,  電荷変調 ,  ポリカルバゾール ,  ポリベンゾチアジアゾール ,  フラーレンC71

分類 (5件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  有機化合物の可視・紫外スペクトル  (BM08085G) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 重合体 ,  フラーレン ,  バルクヘテロ接合太陽電池 ,  エネルギー準位 ,  サブバンドギャップ ,  電荷