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J-GLOBAL ID：201302247740335340   整理番号：13A0565684

MOCVD窒化物反応炉内の温度場に及ぼす熱電対位置の効果

Effect of thermocouple position on temperature field in nitride MOCVD reactor

著者 (9件)： LI Zhiming (Shandong Provincial Key Lab. of Network based Intelligent Computing, Jinan, 250022, School of Information Sci. and ...) ,  LI Jinping (Shandong Provincial Key Lab. of Network based Intelligent Computing, Jinan, 250022, School of Information Sci. and ...) ,  JIANG Haiying (Shandong Provincial Key Lab. of Network based Intelligent Computing, Jinan, 250022, School of Information Sci. and ...) ,  HAN Yanbin (Shandong Provincial Key Lab. of Network based Intelligent Computing, Jinan, 250022, School of Information Sci. and ...) ,  YIN Jianqin (Shandong Provincial Key Lab. of Network based Intelligent Computing, Jinan, 250022, School of Information Sci. and ...) ,  XIA Yingjie (Shandong Provincial Key Lab. of Network based Intelligent Computing, Jinan, 250022, School of Information Sci. and ...) ,  CHANG Yongming (Key Lab. of Fundamental Sci. for National Defense on Wide Band-Gap Semiconductor Technol., School of ...) ,  ZHANG Jincheng (Key Lab. of Fundamental Sci. for National Defense on Wide Band-Gap Semiconductor Technol., School of ...) ,  HAO Yue (Key Lab. of Fundamental Sci. for National Defense on Wide Band-Gap Semiconductor Technol., School of ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 368  ページ： 29-34  発行年： 2013年04月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有限要素法を用いることによって,誘導加熱式垂直MOCVD反応炉内の温度場分布をシミュレーションした。実験から得られた熱電対の温度は,シミュレーションから得られた温度と一致した。そして,サセプタとウェーハの温度に及ぼすサセプタ内の熱電対位置の効果を詳細に解析した。熱電対の高さは加熱効率にほとんど効果がなかったが,熱電対によって測定したウェハ温度に強く影響を与えることが分かった。熱電対によって測定したウェーハ温度精度を改善することを目的として,熱電対の高さを最適化し,サセプタ内の熱電対の最適位置を得ることができた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  *有限要素法 ,  *温度分布 ,  計算機シミュレーション ,  *熱電対 ,  *高さ ,  ウエハ【IC】 ,  最適化

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOCVD ,  窒化物 ,  反応炉 ,  温度場 ,  熱電対