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J-GLOBAL ID：201302248279763293   整理番号：13A1629267

硫化銅量子ドット担持多孔質酸化スズ薄膜の調製

著者 (3件)： 和田正孝 (近畿大 大学院) ,  藤島武蔵 (近畿大 大学院) ,  多田弘明 (近畿大 大学院)
資料名： 電気化学秋季大会講演要旨集  (電気化学合同秋季大会講演要旨集)
巻： 2013  ページ： 191  発行年： 2013年09月27日 
JST資料番号： X0038A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫化銅 ,  *量子ドット ,  *酸化スズ ,  *膜 ,  *薄膜成長 ,  硫化カドミウム ,  酸化チタン ,  アノード ,  光電極 ,  太陽 ,  太陽光 ,  効率 ,  太陽電池
準シソーラス用語： 光アノード ,  光電変換効率 ,  *多孔質膜 ,  半導体量子ドット ,  模擬太陽光

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  電池一般  (YB04010O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 硫化銅 ,  量子ドット ,  担持 ,  多孔質 ,  酸化スズ ,  薄膜 ,  調製