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J-GLOBAL ID：201302248370336365   整理番号：13A1400768

単層MoS₂における温度依存のフォノンシフト

Temperature-dependent phonon shifts in monolayer MoS₂

著者 (12件)： LANZILLO Nicholas A. (Dep. of Physics, Applied Physics, and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA) ,  GLEN BIRDWELL A. (Sensors and Electron Devices Directorate, US Army Res. Lab., Adelphi, Maryland 20783, USA) ,  AMANI Matin (Sensors and Electron Devices Directorate, US Army Res. Lab., Adelphi, Maryland 20783, USA) ,  CROWNE Frank J. (Sensors and Electron Devices Directorate, US Army Res. Lab., Adelphi, Maryland 20783, USA) ,  SHAH Pankaj B. (Sensors and Electron Devices Directorate, US Army Res. Lab., Adelphi, Maryland 20783, USA) ,  NAJMAEI Sina (Dep. of Mechanical Engineering and Materials Sci., Rice Univ., Houston, Texas 77005, USA) ,  LIU Zheng (Dep. of Mechanical Engineering and Materials Sci., Rice Univ., Houston, Texas 77005, USA) ,  AJAYAN Pulickel M. (Dep. of Mechanical Engineering and Materials Sci., Rice Univ., Houston, Texas 77005, USA) ,  LOU Jun (Dep. of Mechanical Engineering and Materials Sci., Rice Univ., Houston, Texas 77005, USA) ,  DUBEY Madan (Sensors and Electron Devices Directorate, US Army Res. Lab., Adelphi, Maryland 20783, USA) ,  NAYAK Saroj K. (Dep. of Physics, Applied Physics, and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, New York 12180, USA) ,  O’REGAN Terrance P. (Sensors and Electron Devices Directorate, US Army Res. Lab., Adelphi, Maryland 20783, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 9  ページ： 093102-093102-4  発行年： 2013年08月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  単分子層 ,  *Raman散乱 ,  *フォノン ,  *周波数シフト ,  赤方偏移 ,  温度依存性 ,  非調和振動 ,  イオン間相互作用 ,  Ramanスペクトル ,  化学蒸着 ,  状態密度
準シソーラス用語： フォノン状態密度

分類 (2件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層 ,  MoS2 ,  温度依存