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J-GLOBAL ID：201302248482278961   整理番号：13A1508217

メモリ用の無定形のLa_0.79Sr_0.21MnO₃薄膜基のプログラマブル金属化セル

Programmable metallization cells based on amorphous La_0.79Sr_0.21MnO₃ thin films for memory applications

著者 (7件)： LIU Dongqing (State Key Lab. of Advanced Ceramic Fibers and Composites, National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  WANG Nannan (State Key Lab. of Advanced Ceramic Fibers and Composites, National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  WANG Guang (Center of Material Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  SHAO Zhengzheng (Center of Material Sci., National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  ZHU Xuan (State Key Lab. of High Performance Computing, National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  ZHANG Chaoyang (State Key Lab. of Advanced Ceramic Fibers and Composites, National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN) ,  CHENG Haifeng (State Key Lab. of Advanced Ceramic Fibers and Composites, National Univ. of Defense Technol., Changsha 410073, CHN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 580  ページ： 354-357  発行年： 2013年12月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリ用の無定形のLa_0.79Sr_0.21MnO₃(a-LSMO)薄膜に基づいた新しいプログラマブル金属化セルを報告した。a-LSMO薄膜をPt/Ti/SiO₂/Si基材に150°Cで無線周波数マグネトロンスパッタリングで堆積した。Ag/a-LSMO/Ptセルは10²以上の抵抗比と10⁴s以上の時間の安定した保持を具えた100サイクル以上の可逆二極抵抗スイッチングを示した。インピーダンス分光法を使用して電導機構を分析した。抵抗スイッチング現象は固体電解質として利用されたa-LSMO薄膜中のAgフィラメントの生成/破壊で説明できる。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *ランタン化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *マンガン化合物 ,  *酸化物 ,  *蒸着膜 ,  メタライゼーション ,  スパッタ蒸着 ,  RFスパッタリング ,  マグネトロンスパッタリング ,  ウエハ【IC】 ,  白金 ,  チタン ,  電気抵抗率 ,  スイッチング ,  電気伝導 ,  固体電解質 ,  電極 ,  白金電極 ,  電池 ,  *非晶質 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  ケイ素基板 ,  銀電極 ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 無定形 ,  薄膜 ,  金属化 ,  セル