文献

J-GLOBAL ID：201302249013311466   整理番号：12A1814782

ケイ素基板におけるHBr/O₂プラズマ誘起損傷のための焼なまし処理の三次元パラメータマッピング

Three-Dimensional Parameter Mapping of Annealing Processes for HBr/O₂-Plasma-Induced Damages in Si Substrates

著者 (7件)： MATSUDA A. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAKUBO Y. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUKASAWA M. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKAO Y. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TATSUMI T. (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  ERIGUCHI K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ONO K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 34th  ページ： 181-182  発行年： 2012年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *三次元 ,  *パラメータ推定 ,  焼なまし ,  臭化水素 ,  酸素 ,  *プラズマ曝露 ,  *照射損傷 ,  *ケイ素 ,  *基板 ,  ウエハ【IC】 ,  定量的分析 ,  容量電圧特性 ,  熱負荷 ,  偏光解析法
準シソーラス用語： 分光偏光解析法

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： ケイ素基板 ,  HBr ,  O2 ,  プラズマ ,  誘起 ,  損傷 ,  焼なまし処理 ,  パラメータ ,  マッピング