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J-GLOBAL ID:201302249169690815   整理番号:13A1242532

Si_(100)P_(2.5)(GaP)_(1.5)容積の熱電気特性に及ぼすランダム細孔の影響

Effects of random pores on the thermoelectric properties of Si_(100)P_(2.5) (GaP)_(1.5) bulk
著者 (8件):
資料名:
巻: 61  号: 23  ページ: 237201-1-237201-7  発行年: 2012年 
JST資料番号: B0628A  ISSN: 1000-3290  CODEN: WLHPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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SiGeは,確実で最も効率的高温熱電式として,長年の間特殊な分野で利用されているが,その高いコストと低い能率のためいかなる大規模な実用化もない。したがって,Siベースのシステムの無次元性能指数ZTを改善する必要がある。高価な希土類元素であるGeから自由であり,その結果,実用化のためのコストと効率の競争になる。純粋シリコンがかなり低いZTを有しているので,室温における用例0.01に関して,著者らはドープおよびナノ構造化Si_(100)P_(2.5)(GaP)_(1.5)材料を開発して,ZT0.47を入手した。この研究では,50ナノメートル,100ナノメートル,300ナノメートル,および1-2μmの4つの粒度分布を有するランダム細孔を誘発することへの新アプローチをSi_(100)P_(2.5)(GaP)_(1.5)材料に適用して,ZTは32%改善された。電気伝導率とSeebeck係数の強化,および格子熱伝導率の減少にZTの増加は起因できる。電気伝導率の強化は少量のSbのドーピング効果に帰するが,Seebeck係数の増加が主に低エネルギーキャリアのフィルタに由来して,格子熱伝導率の減少は主にフォノン散乱から生じる。この研究では,ランダム細孔を誘発することがSiベースのシステムの性能指数を改善することへの有効な方式であることを実証した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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