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J-GLOBAL ID：201302249240304298   整理番号：12A1620962

C_4H_6O,C_4H_6S,及びXF(X=F,Cl,Br)の間のハロゲン結合相互作用に対する電子密度のトポロジー分析

Topological Analysis of Electron Density on the Halogen-bonding Interactions Between C_4H_6O,C_4H_6S and XF(X=F,Cl,Br)

著者 (4件)： Zeng Yanli (Inst. of Computational Quantum Chemistry,Coll. of Chemistry and Material Sci.,Hebei Normal Univ., Shijiazhuang) ,  Ji Liting (Inst. of Computational Quantum Chemistry,Coll. of Chemistry and Material Sci.,Hebei Normal Univ., Shijiazhuang) ,  Zheng Shijun (Inst. of Computational Quantum Chemistry,Coll. of Chemistry and Material Sci.,Hebei Normal Univ., Shijiazhuang) ,  Meng Lingpeng (Inst. of Computational Quantum Chemistry,Coll. of Chemistry and Material Sci.,Hebei Normal Univ., Shijiazhuang)
資料名： Huaxue Xuebao  (Huaxue Xuebao)
巻： 69  号： 16  ページ： 1874-1880  発行年： 2011年 
JST資料番号： H0391B  ISSN： 0567-7351  CODEN： HHHPA4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 2,5-ジヒドロフラン,2,5-ジヒドロチオフェン,及びXF(X=F,Cl,Br)の,ハロゲン結合相互作用の理論研究をMP2/aug-cc-pVDZレベルで研究した。結果は,n形とπ型のハロゲン結合複合体の両方が,C_4H_6Oと,C_4H_6Sと,XFの間で形成される事を示している。C_4H_6O...XF(n),C_4H_6O...XF(π),及び,C_4H_6S...XF(π)に対して,相互作用エネルギー,ハロゲン結合臨界点に於ける電子密度,及び,ドナーから受容体までの電荷移動量は,B...F2<B...ClF<B...BrF(B=C_4H_6Oと,C_4H_6S)の順である。C_4H_6O...BrF(n),C_4H_6O...BrF(π),C_4H_6S...F_2(n),C_4H_6S...ClF(n),C_4H_6S...BrF(n)及びC_4H_6S...BrF(π)のハロゲン結合相互作用は,共有とイオン形の間の結合の性質と共に,より強い。他のハロゲン結合相互作用は,結合特性「閉殻」静電相互作用で,より弱い。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *化学結合 ,  *相互作用 ,  電子密度 ,  位相幾何学 ,  静電相互作用 ,  電荷移動 ,  臨界点
準シソーラス用語： *ハロゲン結合 ,  トポロジー

分類 (1件)： 化学一般その他  (CA01060X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cl ,  Br ,  ハロゲン結合 ,  相互作用 ,  電子密度 ,  トポロジー ,  分析