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J-GLOBAL ID:201302249906332275   整理番号:13A1387512

スーパーキャパシタ用の新規な電極物質としての窒素ドープのグラフェン中空ナノ球体

Nitrogen-doped graphene hollow nanospheres as novel electrode materials for supercapacitor applications
著者 (8件):
資料名:
巻: 243  ページ: 973-981  発行年: 2013年12月01日 
JST資料番号: B0703B  ISSN: 0378-7753  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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簡単な層状化の繰返しによるグラフェン酸化物(GO)とポリスチレン(PS)ナノ球体上のポリアニリン(PANI)との組織化と,続く焼成によるPSテンプレートを除去とPANIの炭化を行うことより,窒素ドープしたグラフェン中空体(NGHS)を作製した。結果として得られたNGHSは8.7atom%の高い窒素含有量をもち,ピリジン-N,ピロール-N,四級-Nが検出された。NGHSの中空ナノ構造は高い電気活性領域をもたらし,一方,グラフェンの有効な窒素ドープは電子の移動度と空間荷電キャパシタンスを増加した。四つのバイレイヤーをもつNGHSの比キャパシタンス)NGHS-4bi)は1Ag-1の電流密度で381Fg-1に達した。この大幅に向上した電気化学特性は中空ナノ構造と窒素ドープの相乗効果に帰すもので,新規な電極物質としてのNGHSが高特性エネルギー貯蔵デバイスで有力な利用可能性を持つ。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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静電機器 

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