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J-GLOBAL ID：201302250042915808   整理番号：13A1033135

シリコン薄膜の結晶子サイズ及び膜-基板界面媒介構造発展

Crystallite size and film-substrate interface mediated structural evolution of silicon thin films

著者 (2件)： MOHIDDON Md.ahamad ,  KRISHNA M. Ghanashyam
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 74  号： 9  ページ： 1249-1253  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si膜におけるウルツ鉱型構造の安定化をもたらすSiナノ粒子の結晶構造に及ぼす微結晶サイズ及び膜-基板界面の効果を報告した。Ni/Si二層を,電子ビーム蒸着により,溶融シリカ(FS)及びホウケイ酸ガラス(BSG)基板上に堆積した。非晶質であった堆積時の膜は,BSG上では400°Cのポストアニーリング温度で,FS基板上では500°Cで結晶化した。電子回折により,前者は,45nmの微結晶サイズのウルツ鉱型に,後者は,220nmのサイズのダイヤモンド立方晶構造に結晶化した。ウルツ鉱型膜は,ダイヤモンド立方晶膜より高い屈折率を示した。ウルツ鉱型相の安定化は,Siの小さい結晶子サイズに帰着された。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *電子ビーム蒸着 ,  ナノ粒子 ,  *ニッケル ,  *結晶構造 ,  結晶粒径 ,  石英ガラス ,  ホウケイ酸ガラス ,  焼なまし ,  *結晶化 ,  電子回折 ,  Ramanスペクトル ,  立方晶系 ,  屈折率 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  半導体薄膜 ,  金属薄膜 ,  ナノ結晶 ,  *多形転移 ,  *光学定数
準シソーラス用語： *金属誘起結晶化

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固相転移  (BL04020G) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン薄膜 ,  結晶子サイズ ,  界面 ,  発展