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J-GLOBAL ID：201302250240802156   整理番号：13A1692849

NH₄F鉱化剤を使用したアモノサーマル法によるGaNの結晶成長

Ammonothermal Crystal Growth of GaN Using an NH₄F Mineralizer

著者 (13件)： BAO Quanxi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  BAO Quanxi (Japan Steel Works, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SAITO Makoto (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITO Makoto (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  HAZU Kouji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FURUSAWA Kentaro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KAGAMITANI Yuji (Mitsubishi Chemical Corp., Ibaraki, JPN) ,  KAYANO Rinzo (Japan Steel Works, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TOMIDA Daisuke (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  QIAO Kun (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ISHIGURO Tohru (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOKOYAMA Chiaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHICHIBU Shigefusa F. (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 13  号： 10  ページ： 4158-4161  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NH₄Fを鉱化剤として使用し,酸性アモノサーマル法によるGaNの結晶成長を研究した。NH₄Fを用いて温度勾配を反転させると,GaNの結晶は全方向に速い速度で完全に成長して,高い結晶品質を示した。従って,NH₄Fは酸性アモノサーマル法によるGaNの大量生産に必要不可欠な鉱化剤であることがわかった。NH₄Fを用いて自己-核生成したGaNシードから6角形のバルク結晶を成長させることができた。この研究はGaNのバルク結晶成長を実現するための第一段階であり,近い将来には低価格で高品質のGaN結晶を大量生産できるようになるであろう。

シソーラス用語： *フッ化アンモニウム ,  鉱化剤 ,  *窒化ガリウム ,  *溶液成長 ,  温度勾配 ,  成長速度 ,  *結晶度 ,  核形成 ,  種結晶 ,  六方晶系 ,  大量生産
準シソーラス用語： *アモノサーマル法

分類 (2件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： NH4F ,  鉱化剤 ,  アモノサーマル法 ,  GaN ,  結晶成長