文献

J-GLOBAL ID：201302250363328262   整理番号：13A0794604

電圧ランプストレス手法を使った先進CMOS技術における絶縁破壊の確率的性質の評価

Assessment of the Stochastic Nature of Dielectric Breakdown in advanced CMOS Technologies utilizing Voltage Ramp Stress Methodology

著者 (3件)： KERBER Andreas (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  LIPP Dieter (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  LIN Yu-Yin (GLOBALFOUNDRIES, NY)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 652-655  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MG/HK(メタルゲート/高k)とポリSi/SiONにおける絶縁破壊の統計的性質を調べた。MG/HKデバイスの定量的信頼性スクリーニングとモニタリングに最近導入された電圧ランプストレス(VRS)法は,絶縁破壊の統計的性質を調べるのに非常に適している。VRS試験で測定した破壊電圧の統計分布を,Weibull統計に従ってスケールパラメータV63と形状パラメータβ・(n+1)で表わした。形状パラメータはサンプルサイズを大きくすると減少するが,破壊電圧の信頼区間V63は一定に留まり,ばらつきはMG/HKとポリSi/SiONの局部的酸化膜厚変動によるものである。このばらつきは信頼性マージンを減少させるので,製品寿命評価には考慮すべきである。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *絶縁破壊 ,  方法論 ,  スクリーニング ,  監視 ,  性質 ,  電圧 ,  確率分布 ,  統計解析 ,  数学モデル ,  スケールパラメータ ,  パラメータ ,  信頼区間
準シソーラス用語： CMOSFET ,  Weibull統計モデル ,  モニタリング ,  *確率的方法 ,  形状パラメータ ,  統計的性質 ,  統計分布 ,  *破壊電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (8件)： ランプ ,  ストレス ,  手法 ,  CMOS技術 ,  絶縁破壊 ,  確率 ,  性質 ,  評価