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J-GLOBAL ID：201302250525752179   整理番号：13A1632133

InP量子ドットナノワイヤヘテロ構造の合成及び光学特性

Synthesis and optical properties of InP quantum dot/nanowire heterostructures

著者 (10件)： REN Pinyun (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  XU Jinyou (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  WANG Yicheng (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHUANG Xiujuan (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHANG Qinglin (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHOU Hong (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  WAN Qiang (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  SHAN Zhengping (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHU Xiaoli (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  PAN Anlian (Hunan Univ., Hunan, CHN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 210  号： 9  ページ： 1898-1902  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InPナノ構造は,狭い直接バンドギャップ及び高い電子移動度及び大きい励起子Bohr半径から,オプトエレクトロニック素子への広範な応用が期待されている。今までに,InPナノワイヤは,各種の方法で合成されてきたが,化学蒸着(CVD)法による単結晶InPナノワイヤの成長に関する報告は,ほとんど見られない。この論文で,周期的に長く並んだ,P_xO_yナノスフェアによって包まれた,真珠状のInP量子ドット(QD)ナノワイヤヘテロ構造のCVD法による合成を報告する。そのモルフォロジー,構造及び室温光ルミネセンス特性など光学特性を研究した。ヘテロ構造の形成を説明する自己組織化モデルを提案する。

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *量子ドット ,  *ナノワイヤ ,  素子構造 ,  化学蒸着 ,  単結晶 ,  モルフォロジー ,  *光ルミネセンス ,  自己組織化 ,  量子閉込め ,  化合物半導体
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  マイクロ光ルミネセンス ,  III-VI族半導体

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  量子ドット ,  ナノワイヤ ,  ヘテロ構造 ,  光学特性