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J-GLOBAL ID：201302250539614534   整理番号：13A1127077

増幅器のノイズ機能のためのSiGe HBTsの幾何学最適化

Geometry Optimization of SiGe HBTs for Noise Performance of Amplifier

著者 (5件)： Shen Pei (Coll. of Electronic Information and Control Engineering,Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Zhang Wanrong (Coll. of Electronic Information and Control Engineering,Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Jin Dongyue (Coll. of Electronic Information and Control Engineering,Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Xie Hongyun (Coll. of Electronic Information and Control Engineering,Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Huang Lu (Coll. of Electronic Information and Control Engineering,Beijing Univ. of Technol., Beijing)
資料名： Beijing Gongye Daxue Xuebao  (Beijing Gongye Daxue Xuebao)
巻： 38  号： 8  ページ： 1158-1161  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2401A  ISSN： 0254-0037  CODEN： BGDXD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 画一的低雑音増幅器(LNA)のノイズ機能に関するSiGe HBTsのさまざまな幾何学サイズの影響は,本論文で調査した。いろいろな幾何学パラメータによってSiGe HBTsを使用するLNAの4つのタイプは,0.35μm SiGe BiCMOSプロセス技術において作った。測定値データは,与えたバイアス条件において,放出源長さへの放出源幅の比率が小さいならば,より小さい放出源幅は雑音指数(NF)をわずかに改良することを示して,しかし,適当なより長い放出源幅とより少ない放出源条件は,全体としてのNF有意なしでゲイン劣化を著しく改良することができた。幾何学スケーリングデータは,A_E=4μm×40μm×4によってSiGe HBTを使用する最適なLNAが,2.6dBの最小NFを持って,最大は,27.4dBのゲインと他の装置ジオメトリーと比較した0.2-1.2GHz以上のほとんど50Ωの最適ノイズ供給源耐性を関係したことを示した。ダイ区域は,単に誘導子の欠如のために0.2mm2であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 増幅器 ,  雑音 ,  *半導体材料 ,  *HBT【トランジスタ】 ,  幾何学 ,  最適化 ,  低雑音増幅器 ,  雑音指数
準シソーラス用語： ノイズ ,  *SiGe

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 増幅器 ,  ノイズ ,  SiGe ,  幾何学 ,  最適化