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J-GLOBAL ID：201302250595348650   整理番号：13A0954195

熱誘起拡散機構を用いたZnO/ITO/ZnO三層膜の金属間酸化物

The inter-metallic oxide of ZnO/ITO/ZnO tri-layer films using a heat-induced diffusion mechanism

著者 (5件)： CHEN Kuan-jen (The Instrument Center, National Cheng Kung Univ., Tainan 701, Taiwan) ,  HUNG Fei-yi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Inst. of Nanotechnology and Microsystems Engineering, Center for Micro/Nano ...) ,  LUI Truan-sheng (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Inst. of Nanotechnology and Microsystems Engineering, Center for Micro/Nano ...) ,  CHANG Sheng-po (Inst. of Microelectronics & Dep. of Electrical Engineering, Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng ...) ,  WANG Wen-lung (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Inst. of Nanotechnology and Microsystems Engineering, Center for Micro/Nano ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 273  ページ： 598-602  発行年： 2013年05月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO/In/ZnO三層膜に基づいたバイアス結晶化機構とZnO/ITO/ZnO三層膜における熱アニーリング処理を研究した。バイアス印加(40V,0.025A)後,ZnO/In/ZnOの抵抗率は1.35×10^-2Ωcmまで低下した。バイアス誘起Joule加熱及びInイオン拡散が抵抗率低下に関する決定的な因子であった。金属In層を置換したZnO/ITO/ZnO薄膜は,比較的良好な電気特性及び光透過率を示した。熱アニーリングによって,In及びSn原子がZnOマトリクス中に拡散し,伝導率を改善した。金属間酸化物がZnOと中間層との間に形成され,三層膜の結晶化特性,光学的及び電気的特性を支配した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *インジウム ,  *酸化インジウムスズ ,  *結晶化 ,  *焼なまし ,  *電気抵抗率 ,  抵抗加熱 ,  イオン拡散 ,  *透過率 ,  多層膜 ,  *透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  熱拡散 ,  *光学定数
準シソーラス用語： Joule加熱 ,  *三層構造

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘起 ,  拡散 ,  ZnO ,  ITO ,  酸化物