高伸縮性透明グラフェン-カーボンナノチューブトランジスターのための転写された皺のあるAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>

CHAE Sang Hoon; YU Woo Jong; YU Woo Jong; BAE Jung Jun; DUONG Dinh Loc; PERELLO David; JEONG Hye Yun; TA Quang Huy; LY Thuc Hue; VU Quoc An; YUN Minhee; DUAN Xiangfeng; LEE Young Hee

文献

J-GLOBAL ID：201302250721633340 整理番号：13A0935589

高伸縮性透明グラフェン-カーボンナノチューブトランジスターのための転写された皺のあるAl₂O₃

Transferred wrinkled Al₂O₃ for highly stretchable and transparent graphene-carbon nanotube transistors

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資料名：
巻： 12 号： 5 ページ： 403-409 発行年： 2013年05月
JST資料番号： W1364A ISSN： 1476-1122 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

伸縮性薄膜トランジスターには変形状態で安定な電極とゲート誘電体が必要である。本研究では,皺のあるAl₂O₃を誘電体層として採用し,グラフェン-単層カーボンナノチューブ(SWCNT)電極,SWCNTネットワークチャンネルから成る高伸縮性透明トランジスターを作製した。Al被覆したSi基板上に被覆したポリイミド(PI)膜上にデバイスを形成後,Al膜をエッチング除去し,PI膜を伸縮性PDMS基板上に転写した。皺のあるAl₂O₃はエアギャップを有し,ゲートリーク電流は10^-13Aと低かった。トランジスターの性能は20%のひずみまで劣化無く機能し,1000回の伸縮サイクル後も大きい変化は認められなかった。

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トランジスタ , セラミック・陶磁器の製造 , 炭素とその化合物

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高伸縮性透明グラフェン-カーボンナノチューブトランジスターのための転写された皺のあるAl2O3

高伸縮性透明グラフェン-カーボンナノチューブトランジスターのための転写された皺のあるAl₂O₃