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J-GLOBAL ID：201302250748094599   整理番号：13A0673038

テクスチャ表面上のNEA(負電子親和力)性に関する研究

A STUDY ON NEA (NATIVE ELECTORON AFFINITY) NATURE ON TEXTURED SURFACES

著者 (7件)： HIRAO M. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  HAYASE K. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  SEKITA F. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  YAMATANI Y. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  SHIOKAWA T. (RIKEN, Saitama, JPN) ,  AKIMOTO H. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  MEGURO T. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 31  ページ： 35-38  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負の電子親和力(NEA)表面は半導体表面にアルカリ金属(例えばCs,Rb,K)が吸着すると形成される。テクスチャ化した表面上のNEA性の活性化を調べて,NEA表面の新しい可能性を論じた。本研究では,(111)Aファセットパターンを(100)方位のp型GaAs基板上の作成し,(100)ファセット表面と同じようにテクスチャ化した表面上でNEA特性が得られることを確かめた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子親和力 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  P型半導体 ,  ファセット ,  セシウム ,  酸素 ,  *表面性状 ,  *光電流 ,  光電子放出 ,  エッチング ,  活性化 ,  ウェットエッチング

分類 (2件)： 光電子放出  (BM09030D) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： テクスチャ ,  NEA ,  負電子親和力 ,  性 ,  研究