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J-GLOBAL ID：201302250773853801   整理番号：11A0031901

フォールド変調板を有するリセスゲートAlGaN-GaNヘテロ接合のための改良出力特性

Improved power performance for a recessed-gate AlGaN-GaN heterojunction FET with a field-modulating plate

著者 (11件)： OKAMOTO Y ,  ANDO Y ,  HATAYA K ,  NAKAYAMA T ,  MIYAMOTO H ,  INOUE T ,  SENDA M ,  HIRATA K ,  KOSAKI M ,  SHIBATA N ,  KUZUHARA M
資料名： IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES
巻： 52  号： 11  ページ： 2536-2540  発行年： 2004年 
JST資料番号： O2755A  ISSN： 0018-9480  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 変調 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  出力特性