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J-GLOBAL ID:201302250942671297   整理番号:13A1488177

タンタル酸ストロンチウムビスマス強誘電体セラミックスの電気的性質に及ぼすホルミウム置換の効果

Effect of holmium substitution on electrical properties of strontium bismuth tantalate ferroelectric ceramics
著者 (3件):
資料名:
巻: 39  号:ページ: 9397-9403  発行年: 2013年12月 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ホルミウム置換SrBi2-xHoxTa2O9(x=0.00~2.0)組成を固相反応法によって合成した。合成した試片をそれらの構造と電気的性質についてキャラクタリゼーションを実施した。X線回折図がホルミウム量x≦0.1まで単相層状ペロブスカイト構造の形成を明らかにしている。温度に対する誘電率の変動が,ホルミウム量の増加とともにCurie温度(Tc)が低下することを示している。x=2.0即ちビスマスの無い試片は非常に低い誘電率を持ち温度に対して検知しうる変化を示さない。誘電損失はホルミウム置換と共に顕著に低下する。強誘電特性がHo置換と共に改善することを観察した。x=0.01の試片は最高の残留分極(Pr=9.22μC/cm2)を有するが,ビスマスの無い試片は残留分極の最低値を示す。上記の強誘電性材料は,強誘電性ランダムアクセスメモリ(FeRAM)の静的(SRAM)及び動的(DRAM)ランダムアクセスメモリを置き換えるのに使用できると期待される。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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セラミック・磁器の性質 
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