単結晶およびSi(111)担持セリア膜のCeO<sub>2</sub>(111)表面のモルフォロジーとナノ構造

PIEPER H. H.; DERKS C.; ZOELLNER M. H.; OLBRICH R.; TROEGER L.; SCHROEDER T.; SCHROEDER T.; NEUMANN M.; REICHLING M.

文献

J-GLOBAL ID：201302251051017266 整理番号：12A1800275

単結晶およびSi(111)担持セリア膜のCeO₂(111)表面のモルフォロジーとナノ構造

Morphology and nanostructure of CeO₂(111) surfaces of single crystals and Si(111) supported ceria films

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資料名：
巻： 14 号： 44 ページ： 15361-15368 発行年： 2012年11月28日
JST資料番号： A0271C ISSN： 1463-9076 CODEN： PPCPFQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

CeO₂(111)単結晶およびシリコン表面上に成長させた180nmのCeO₂(111)膜の種々のアニーリング条件による表面形態を,非接触原子間力顕微鏡およびKelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)により研究した。1100Kでアニーリングした単結晶バルク試料は,丸いリッジを持つ小テラスとO-Ce-O三層高さを持つステップを形成したが,1200Kでのアニーリングでは六方晶モチーフとステップバンチングを持つ高秩序化直線状ステップ端を形成した。双方とも表面形態とトポグラフィーは同様であり,再び1100Kまで加熱すると表面構造は破壊された。KPFM画像からは,単結晶試料をゆっくり冷却した場合は均一なテラスを形成したのに対して,急速な冷却では表面電位の著しい不均一性をもたらした。一方,シリコン表面上の膜では巨大テラスをし,最良の調製条件においてもKPFM信号の著しい不均一性が見出された。X線光電子分光からは,バルクセリア試料のフッ素による著しい汚染が見出されたが,膜表面上ではフッ素汚染は検出されなかった。飛行時間二次イオン質量分析からは,バルク試料の表面から5nmまでのフッ素の蓄積が示された。

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塩基,金属酸化物 , コロイド化学一般

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単結晶およびSi(111)担持セリア膜のCeO2(111)表面のモルフォロジーとナノ構造

単結晶およびSi(111)担持セリア膜のCeO₂(111)表面のモルフォロジーとナノ構造