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J-GLOBAL ID:201302251196229555   整理番号:13A1410201

パルスレーザ堆積によるMnドープBi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3鉛フリー薄膜における増強された強誘電性及び圧電応答

Enhanced ferroelectric and piezoelectric response in Mn-doped Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3 lead-free film by pulsed laser deposition
著者 (7件):
資料名:
巻: 283  ページ: 348-351  発行年: 2013年10月15日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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モルフォトロピック相境界近傍の組成のMnドープBi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3薄膜をパルスレーザ堆積によりPtメッキSi基板上に成長した。成長条件を注意深く制御して純粋ペロブスカイト構造の高度(100)配向薄膜が得られた。平均残留分極と抗電場がそれぞれ~11.3μC/cm2と~6.5kV/mmのよく定義された強誘電性P-Eループが得られた。圧電応答力顕微鏡によって多結晶構造とマルチドメイン状態が明らかにされ,92pm/Vまでの正規化歪Smax/Sminの大きな局所歪応答が得られた。優秀な大局的電気的性質はこの薄膜を環境に優しい強誘電及び圧電デバイスにおいてきわめて有望なものとする。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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酸化物薄膜  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  圧電気,焦電気,エレクトレット 

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