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J-GLOBAL ID：201302251238622198   整理番号：13A0942847

演算用メムリスティブデバイス

Memristive devices for computing

著者 (3件)： YANG J. Joshua (Hewlett-Packard Lab., California, USA) ,  STRUKOV Dmitri B. (Univ. California, California, USA) ,  STEWART Duncan R. (National Res. Council of Canada, Ottawa, CAN)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 8  号： 1  ページ： 13-24  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メムリスティブデバイスは印加された電圧と電流の履歴に基づいて内部抵抗状態を保持する機能を有する電気抵抗スイッチである。これらのデバイスは情報を記憶し処理するだけでなく,通常タイプの集積回路技術を超越したいくつかの重要な機能を有している。メムリスティブデバイスの主なクラスに属するひとつがイオン運動に基づく2端子抵抗スイッチであり,これは,簡単な導体層/絶縁体層/導体層構成の薄膜積層である。これらのデバイスはその起源を1960年代後期にまで遡り,それ以降の進歩が高速,低エネルギー,高記憶保持性を備えたデバイスを三次元集積して10nm以下にまで高密度実装を実現した。それでも,肝心のデバイスメカニズムにはいまだに未知の部分が残り,これが普及の妨げとなっている。本報告ではメムリスティックデバイスの解発と究明における最新の進展について展望する。さらに,未解決問題にどう対決するべきかを詳細に考察する。スィッチング動作の初期と後続動作について微視的なプロセス解明が,とくに,これからのデバイスメカニズム研究における信頼性とウエハスケールでの予測可能なデバイスの実現にとって決定的に重要なテーマとなるであろう。市場調査組織,回路とシステムデザイナーなどとの協力が期待される。

シソーラス用語： 回路部品 ,  抵抗器 ,  *記憶素子 ,  論理回路 ,  *論理素子 ,  電気抵抗 ,  二端子回路 ,  素子構造 ,  スイッチング ,  *スイッチングダイオード ,  電流電圧特性 ,  技術展望
準シソーラス用語： メモリスタ ,  抵抗記憶素子

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  集積回路一般  (NC03161C)