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J-GLOBAL ID：201302251265371172   整理番号：13A0406127

Cuテープ基板上に成長したn型Cu-In-S吸収体(CISCuT)層の組合せRaman-DLTS研究

Combined Raman-DLTS investigations of n-type Cu-In-S absorber layers grown on Cu tape substrate (CISCuT)

著者 (13件)： TRUSHIN M. (Joint Lab IHP/BTU, Cottbus, DEU) ,  ARGUIROV T. (Joint Lab IHP/BTU, Cottbus, DEU) ,  ARGUIROV T. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  KITTLER M. (Joint Lab IHP/BTU, Cottbus, DEU) ,  KITTLER M. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  SEIFERT W. (Joint Lab IHP/BTU, Cottbus, DEU) ,  SEIFERT W. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  KLOSSEK A. (Joint Lab IHP/BTU, Cottbus, DEU) ,  BERNHARD T. (Odersun AG, Frankfurt (Oder), DEU) ,  GERLACH-BLUMENTHAL W. (Odersun AG, Frankfurt (Oder), DEU) ,  HAENSEL A. (Odersun AG, Frankfurt (Oder), DEU) ,  TOBER O. (Odersun AG, Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHWABE M. (Odersun AG, Frankfurt (Oder), DEU)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 210  号： 1  ページ： 222-225  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuテープ上のCuInS₂(CISCuT)法により成長させた吸収体層をRaman分光法と深準位過渡分光法(DLTS)により特性を評価した。Raman測定では,硫黄チェンバーを通るCuテープの速度が高くなるに連れて結晶品質が劣化し,CuAu型相の比率が高くなることが分った。DLTSで観測された支配的なピークE1は,黄銅鉱型とCuAu型との界面における欠陥状態から生じると結論した。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  銅化合物 ,  硫化物 ,  *太陽電池 ,  銅 ,  テープ ,  Raman分光法 ,  *深準位過渡分光法 ,  *Ramanスペクトル ,  黄銅鉱型結晶 ,  規則合金 ,  金合金 ,  銅含有合金 ,  *欠陥準位 ,  基板 ,  相境界
準シソーラス用語： *硫化インジウム銅

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cu ,  テープ ,  成長 ,  吸収体 ,  層 ,  組合せ ,  DLTS ,  研究