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J-GLOBAL ID:201302251436585427   整理番号:13A0992305

CoドープMgGa2O4/SiO2ナノ-ガラス-セラミック複合体の合成,構造及び光学特性

Synthesis, structure and optical properties of Co-doped MgGa2O4/SiO2 nano-glass-ceramic composites
著者 (5件):
資料名:
巻: 276  ページ: 613-619  発行年: 2013年07月01日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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組成が(1-y)CoxMg1-xGa2O4-ySiO2(0≦x,y≦1)のCoドープMgGa2O4/SiO2ナノガラスセラミック複合体をゾル-ゲル法により合成し,X線粉末回折及び透過型電子顕微鏡により評価した。X線光電子分光法を使用してナノ複合体中のカチオン及び酸素の化学環境をアニール温度,コバルトの量及びSiO2の量の関数として調べた。その結果,Ga3+及びMg2+イオンは試料中のスピネル構造の四面体及び八面体サイトの両方を占めることが分かった。ナノ複合体の反転パラメータ(四面体サイトのGa3+イオン割合の二倍)はZnGa2O4のそれと比較して比較的大きく,その値はアニール温度の上昇及びシリカ濃度の増加とともに小さくなったが,コバルトの増量とともに大きくなった。全てのCo-ドープ試料は四面体Co2+の特徴である~600nmの強い吸収ピークを示した。しかし,八面体Co2+の特徴である300~500nmの吸収バンドはCo0.3Mg0.7Ga2O4及び0.6Co0.6Mg0.4Ga2O4-0.4SiO2の複合体にのみ観測された。八面体Co2+イオンに対応する吸収ピークの強度はCo0.3Mg0.7Ga2O4ナノ結晶に対してはアニール温度の低下と共に大きくなった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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ガラスの性質・分析・試験  ,  電子分光スペクトル  ,  光物性一般 

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