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J-GLOBAL ID：201302251711914088   整理番号：13A1803250

側鎖エンジニアリングによる高分子半導体の高正孔移動度の達成

Record High Hole Mobility in Polymer Semiconductors via Side-Chain Engineering

著者 (5件)： KANG Il (Gyeongsang National Univ., Jinju, KOR) ,  YUN Hui-Jun (Gyeongsang National Univ., Jinju, KOR) ,  CHUNG Dae Sung (Chung-Ang Univ., Seoul South Korea) ,  KWON Soon-Ki (Gyeongsang National Univ., Jinju, KOR) ,  KIM Yun-Hi (Gyeongsang National Univ., Jinju, KOR)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 135  号： 40  ページ： 14896-14899  発行年： 2013年10月09日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電性ジケトピロロピロール(DPPD)-2,2’-ビチオフェン-エテン(BTE)またはDPPD-チオフェン-セレノフェン-エテン(TSE)骨組をもち側鎖に長い分岐アルキル基(2-ドデシルドデシル,7-ドデシルヘプタデシル)を付した半導体性ポリマ(P-24-DPPDBTE,P-24-DPPDTSE,P-29-DPPDBTE,P-29-DPPDTSE,P-29-DPPDTSE)を合成した。OTS8またはCytopで疎水的に変性したSiO₂/Si基板上に半導体性ポリマをコートしてボトムゲート/トップコンタクト型FETを作製した。非常に短いπ-πスタッキング距離を持つP-29-DPPDTSE(側鎖分岐を骨組みから遠ざけたもの)は,200°C熱処理後の正孔移動度が12cm²/(V/s)に達し,優れたオン/オフ特性(I_on/I_off>10⁶)を示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  電流電圧特性 ,  電圧 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流 ,  *キャリア移動度 ,  *高分子半導体 ,  分子構造 ,  化学合成 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  熱処理 ,  置換基効果 ,  分子間相互作用
準シソーラス用語： π-πスタッキング ,  ゲート電圧 ,  ドレイン電流 ,  *正孔移動度

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (4件)： 2,5-ビス(2-デシルテトラデシル)-3-(2-チエニル)-6-[5′-[2-(2-チエニル)エテニル]-2,2′-ビチオフェン-5-イル]-1,2,4,5-テトラヒドロピロロ[3,4-c]ピロール-1,4-ジオン ,  2,5-ビス(2-デシルテトラデシル)-3-(2-チエニル)-6-[5-[5-[2-(セレノフェン-2-イル)エテニル]セレノフェン-2-イル]-2-チエニル]-1,2,4,5-テトラヒドロピロロ[3,4-c]ピロール-1,4-ジオン ,  2,5-ビス(7-デシルノナデシル)-3-(2-チエニル)-6-[5′-[2-(2-チエニル)エテニル]-2,2′-ビチオフェン-5-イル]-1,2,4,5-テトラヒドロピロロ[3,4-c]ピロール-1,4-ジオン ,  2,5-ビス(7-デシルノナデシル)-3-(2-チエニル)-6-[5-[5-[2-(セレノフェン-2-イル)エテニル]セレノフェン-2-イル]-2-チエニル]-1,2,4,5-テトラヒドロピロロ[3,4-c]ピロール-1,4-ジオン

タイトルに関連する用語 (4件)： 側鎖 ,  エンジニアリング ,  高分子半導体 ,  正孔移動度