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J-GLOBAL ID：201302251730440836   整理番号：13A1386416

半導体ブロック共重合体から量子ドットへの正孔輸送に及ぼすバンドギャップ配置の影響

The effect of band gap alignment on the hole transport from semiconducting block copolymers to quantum dots

著者 (9件)： ZUR BORG Lisa (Univ. Mainz, Mainz, DEU) ,  LEE Donggu (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LIM Jaehoon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  BAE Wan Ki (Los Alamos National Lab., New Mexico, USA) ,  PARK Myeongjin (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Seonghoon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Changhee (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHAR Kookheon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  ZENTEL Rudolf (Univ. Mainz, Mainz, DEU)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 1  号： 9  ページ： 1722-1726  発行年： 2013年03月07日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,CdSe/CdS/CdZnS赤色量子ドット(QD)への正孔注入に及ぼす正孔輸送半導体ブロック共重合体,ポリ(ビニルトリフェニルアミン二量体)(PTPD)誘導体のバンドギャップ配置の影響を調べた。この目的で可逆的付加フラグメンテーション連鎖移動(RAFT)重合により,2つのブロック共重合体,電子供与(メトキシ)基と電子受容(トリフルオロメチル)基を持つものを合成し,バンドギャップ配置,特にHOMO準位に及ぼす側鎖基影響を調べた。赤色QDのエネルギー準位へとエネルギー準位を調整するため,グラフト化法により本高分子をハイブリッド化し特性化した。赤色QDは,緑色や青色より小さなバンドギャップと高いHOMO準位を有し,正孔注入効率に及ぼす本高分子のバンドギャップ影響を研究するための最適選択だった。

シソーラス用語： リビングラジカル重合 ,  *量子ドット ,  赤色光 ,  セレン化カドミウム ,  硫化カドミウム ,  硫化物 ,  カドミウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *ブロック共重合体 ,  *半導体 ,  *輸送現象 ,  第三アミン ,  芳香族アミン ,  ドナー ,  アクセプタ ,  アルキル基 ,  脂肪族フッ素化合物 ,  側鎖 ,  HOMO ,  材料 ,  メトキシ基
準シソーラス用語： メトキシル基 ,  可逆的付加-フラグメンテーション連鎖移動重合 ,  *正孔輸送 ,  トリフェニルアミン誘導体 ,  電子供与体 ,  電子受容体 ,  トリフルオロメチル基 ,  ハイブリッド材料

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  塩  (CD01050V) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (4件)： ブロック共重合体 ,  量子ドット ,  正孔輸送 ,  バンドギャップ