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J-GLOBAL ID：201302251736835069   整理番号：13A1623529

プロセス指向物理学に基づくマイクロ波パワートランジスタのモデリング:小信号及び大信号特性決定

Process-Orientated Physics-based Modeling of Microwave Power Transistors: Small- and Large-Signal Characterization

著者 (7件)： EVERETT John P. (Univ. Surrey, Guildford, GBR) ,  KEARNEY Michael J. (Univ. Surrey, Guildford, GBR) ,  SNOWDEN Christopher M. (Univ. Surrey, Guildford, GBR) ,  RUEDA Hernan (Freescale Semiconductor Inc., Arizona, USA) ,  JOHNSON Eric M. (Freescale Semiconductor Inc., Arizona, USA) ,  AAEN Peter H. (Freescale Semiconductor Inc., Arizona, USA) ,  WOOD John (Freescale Semiconductor Inc., Arizona, USA)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 784-786  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波大出力トランジスタの設計に適した,物理学に基づく計算効率の高いモデルを開発し,マイクロ波の横拡散金属酸化物半導体(LDMOS)に適用した。電荷輸送,熱流,エネルギー流と電磁界の間の双方向結合を考慮に入れられるモデルである。モデルから得られた小信号及び大信号のマイクロ波特性の正確な予測と物理的洞察を使い,LDMOS電界効果トランジスタ(FET)のプロセス指向最適化とプロセス敏感度解析が行える。この電荷に基づくモデルは,計算機支援設計(CAD)用としても適している。

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,  マイクロ波 ,  *モデリング ,  信号 ,  物理学 ,  FET【トランジスタ】 ,  CAD【計算機】 ,  電力増幅器
準シソーラス用語： *パワートランジスタ ,  大信号 ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： プロセス ,  物理学 ,  マイクロ波 ,  パワートランジスタ ,  モデリング ,  信号特性