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J-GLOBAL ID：201302251783957709   整理番号：13A0502235

スイッチトランジスタとしてPMOSトランジスタを採用した高性能チャージポンプの設計

Design of a High Performance Charge Pump by Taking PMOS Transistors as Switch Transistors

著者 (2件)： Li Ke (The N0.58 Res. Inst. of China Electronic Technol. Group Corp., Jiangsu, Wuxi) ,  Guo Xiaoyu (The N0.58 Res. Inst. of China Electronic Technol. Group Corp., Jiangsu, Wuxi)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 32  号： 1  ページ： 95-99  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 新チャージポンプを発表する。閾電圧損失をスイッチトランジスタとしてPMOSトランジスタを採用することによって避ける。抵抗器フィードバックループで,出力電圧を発振器制御を介して調整する。チャージポンプが働かないとき,あらゆる分岐回路を断ち切り低出力を達成する。シミュレーション結果は,新チャージポンプは高性能,より短い立上り時間,および小さい電圧リップルであるのを示した。この回路はSMIC0.18μmCMOS技術で実現し,設計要求を達成した。出力電圧は,堅実であり,強い駆動力を持っている。それは1MのEEPROMチップに実際に正常に使用された。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *MOSFET ,  励起 ,  スイッチ ,  MOS構造 ,  計算機システム ,  フィードバック制御 ,  シミュレーション ,  電子技術 ,  EEPROM ,  分岐回路 ,  電圧 ,  発振器
準シソーラス用語： *MOSトランジスタ ,  チャージポンプ ,  PMOS ,  フィードバックループ ,  CMOS技術 ,  出力電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： トランジスタ ,  PMOSトランジスタ ,  採用 ,  高性能 ,  チャージポンプ ,  設計