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J-GLOBAL ID：201302251859326894   整理番号：13A0853027

スパッタリング法によるアモルファスMg₂Si系半導体の作製と評価

著者 (4件)： 原昌太 (岐阜大) ,  加藤敬 (岐阜大) ,  松木伸行 (岐阜大) ,  藤原裕之 (岐阜大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.30A-G7-4  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,  *マグネシウム化合物 ,  *ケイ化物 ,  スパッタ蒸着 ,  基板 ,  熱酸化 ,  ケイ素 ,  雰囲気 ,  アルゴン ,  水素 ,  窒素 ,  混合気体 ,  光伝導 ,  太陽電池 ,  *半導体薄膜 ,  *光吸収
準シソーラス用語： 光伝導度 ,  混合ガス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタリング法 ,  アモルファス ,  作製 ,  評価