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J-GLOBAL ID：201302252286931689   整理番号：13A1092525

表面張力およびそのシリコン垂直ウェットエッチングでの役割

Surface tension and its role for vertical wet etching of silicon

著者 (5件)： BROCKMEIER A (Infineon Technol. Austria AG, Siemensstrasse, AUT) ,  BROCKMEIER A (Univ. Paderborn, Paderborn, DEU) ,  RODRIGUEZ F J Santos (Infineon Technol. Austria AG, Siemensstrasse, AUT) ,  HARRISON M (Infineon Technol. Austria AG, Siemensstrasse, AUT) ,  HILLERINGMANN U (Univ. Paderborn, Paderborn, DEU)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 22  号： 12  ページ： 125012,1-7  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンの異方性エッチングはMEMSやCMOSデバイスの製作において重要なプロセスである。これはシリコンの方位依存性,結晶配向エッチングに基づいている。本稿では,(100)シリコンの異方性エッチングにおける表面張力の影響を調べた。バブル圧力表面張力計を使って各種濃度について実験した。その結果,エッチング溶液の表面張力はエッチング挙動に大きい影響力があり,高い表面張力を持つKOHとNaOH溶液により垂直側壁の信頼性ある製作が可能であることが分かった。一方,濃度依存性は温度により表面張力を制御することにより除くことができることが分かった。

シソーラス用語： *界面張力 ,  *エッチング ,  湿式法 ,  異方性 ,  *MEMS ,  半導体 ,  濃度依存性 ,  結晶方位 ,  *ウェットエッチング ,  CMOS
準シソーラス用語： *異方性エッチング ,  結晶配向 ,  *表面張力

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面張力 ,  シリコン ,  垂直 ,  ウェットエッチング ,  役割