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J-GLOBAL ID：201302252332113260   整理番号：13A1324507

低インジウム含有量の自己集合(In,Ga)As/GaAs量子ドットにおけるキャリア緩和過程に及ぼす濡れ層状態密度の影響

Impact of wetting-layer density of states on the carrier relaxation process in low indium content self-assembled (In,Ga)As/GaAs quantum dots

著者 (9件)： SYPEREK M. (Wroclaw Uniwersity of Technol., Wroclaw, POL) ,  BARANOWSKI M. (Wroclaw Uniwersity of Technol., Wroclaw, POL) ,  SEK G. (Wroclaw Uniwersity of Technol., Wroclaw, POL) ,  MISIEWICZ J. (Wroclaw Uniwersity of Technol., Wroclaw, POL) ,  LOEFFLER A. (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  HOEFLING S. (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  REITZENSTEIN S. (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  KAMP M. (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  FORCHEL A. (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 87  号： 12  ページ： 125305.1-125305.7  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低歪In_0.3Ga_0.7As量子ドットを含む試料の温度に依存するキャリア動力学と濡れ層の状態密度とドットの表面密度へのその依存性を調べた。緩和過程は光ルミネセンス(PL)と時間分解PLの測定により温度の関数として直接探針した。局所閉込めポテンシャル揺らぎに起因する濡れ層中のキャリア局在の有意な役割,及び系全体のキャリア緩和に及ぼすその影響を確認した。濡れ層の準零次元状態密度と量子ドットの表面密度の比がキャリア動力学への主要な影響因子であり,温度に伴う量子ドットPLの立上り時間を不規則に伸長し得ることを示した。

シソーラス用語： *緩和現象 ,  *量子ドット ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  自己集合 ,  層 ,  薄膜 ,  *状態密度 ,  半導体薄膜 ,  動力学 ,  密度 ,  光ルミネセンス ,  温度依存性
準シソーラス用語： *キャリア緩和 ,  キャリア動力学 ,  濡れ層 ,  *半導体量子ドット ,  表面密度

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (10件)： インジウム ,  含有量 ,  自己集合 ,  Ga ,  GaAs ,  量子ドット ,  キャリア ,  緩和過程 ,  濡れ層 ,  状態密度